1.基本的な考え方
デバイスメーカ・電装部品メーカ・自動車メーカのスペックの成り立ち
ユニットの部品構成と信頼性モデルの関係
信頼度グレード別のデバイス品質保証体制
デバイスメーカの契約仕様・取引管理の体制

2.基板並びに内部接続回路
基板表層リークのメカニズムと対策
基板内層リークのメカニズムと対策
基板スルーホールのコーナークラック並びにバレルクラックのメカニズムと対策
基板パターンのはんだ溶食のメカニズムとその対策
基板パターンの電食のメカニズムとその対策
コーティングの割れリーク劣化のメカニズムとその対策

3.ＣＰＵ並びに周辺回路
ＣＰＵコンタクトホールオープンのメカニズムと対策
ＣＰＵ暴走のメカニズムと対策
セラミック振動子の発振停止のメカニズムと対策
水晶振動子の発振停止のメカニズムと対策

4.パワーデバイス並びに出力回路
パワーＭＯＳ-ＦＥＴのパワーサイクル疲労のメカニズムと対策
パワーＭＯＳ-ＦＥＴのリーク劣化のメカニズムと対策
パワートランジスタＡｌワイヤ断線のメカニズムと対策
パワーツエナーダイオードのダイクラックリーク劣化のメカニズムと対策
パワーリレーの接点溶着のメカニズムと対策

5.ＩＣ、トランジスタ並びに信号処理回路
ＩＣ過電流破壊のメカニズムと対策
ＩＣ過電圧破壊ならびに静電気破壊のメカニズムと対策
ＩＣのパッケージクラックのメカニズムと対策
Ｃ-ＭＯＳＩＣのラッチアップのメカニズムと対策
トランジスタＡｕワイヤ引張断線ならびに脆化断線のメカニズムと対策
トランジスタのダイボンドクラックのメカニズムと対策
トランジスタのＡｕワイヤ剥離のメカニズムと対策
デジタルトランジスタのステップカバレージ断線のメカニズムと対策
トランジスタの封止劣化のメカニズムと対策
ツェナーダイオードリーク劣化のメカニズムと対策
アルミ電解コンデンサの封止ゴム劣化のメカニズムと対策
アルミ電界コンデンサの箔短絡のメカニズムと対策
アルミ電解コンデンサの再起電圧のメカニズムと対策
積層セラミックコンデンサ内層割れリーク劣化のメカニズムと対策
積層セラミックコンデンサ高電界放電現象破壊のメカニズムと対策
積層セラミックコンデンサの圧電現象によるノイズと鳴き現象のメカニズムと対策
炭素皮膜抵抗の電食のメカニズムと対策
炭素皮膜抵抗のパルス寿命破壊と対策
フィルムコンデンサの熱劣化のメカニズムと対策
フィルムコンデンサの裂け目劣化のメカニズムと対策

６．高周波発振素子と高周波回路
ＳＡＷレゾネータの故障のメカニズムと対策

7.ＥＥ－ＰＲＯＭ並びにメモリー回路
書き込み寿命の故障のメカニズムと対策

8.サージ、ノイズ吸収素子と電源回路
整流ダイオードリーク劣化のメカニズムと対策
ガラス封止ダイオード封止劣化によるリーク劣化と対策
バリスタサージ寿命劣化のメカニズムと対策
トランス・コイルのマグネットワイヤ劣化のメカニズムと対策

9.ＬＥＤ並びに表示回路
ＬＥＤワイヤ断線のメカニズムと対策
ＬＥＤダイボンド剥離のメカニズムと対策

10.コネクタならびに外部接続回路
微小摺動摩耗による接触劣化のメカニズムと対策
亜酸化銅増殖現象による発熱現象のメカニズムと対策
接続ケーブルの銅害のメカニズムと対策

11．スクリーニング体制
形状パラメータｍによるスクリーニング効果
スタティックバーンイン・ダイナミックバーンイン
欠陥をもつ良品を排除するバーンイン体制のありかた

12．電子部品のメーカならびに部品の認定・管理体制
企業力評価とライン力評価
実力評価試験
構造解析
工程審査

講師紹介
社歴　　　
昭和無線工業（現ＳＭＫ）:5年2ヶ月
トリオ（現ＪＶＣケンウッド）:3ヶ月　
立石電機（現オムロン）:38年7ヶ月
職歴  　　
スイッチ製造技術:3年2ヶ月
コネクタ製造技術:1年
圧着・ハーネス製造技術:2年　
アンプ・チューナ製造技術:3ヶ月
部品メーカ監査（加工部品):20年
             （電子部品・機構部品）:25年
制御機構部品(リレー・スイッチ・タイマ・センサ）品質保証 :15年　
自動車電装部品(ＥＣＵ・リレー・センサ・スイッチ）品質保証 :25年
最終職位　　　　
品質保証部並びに部品技術部 部長
韓国オムロン電装 理事(役員)
上海欧姆龍控制電器 顧問
福達合金材料 顧問
学会活動　　  　
日本信頼性学会会員:23年
日本信頼性学会企画委員（地域委員）:2年
日本科学技術連盟講師:24年
日本科学技術連盟信頼性開発技術研究会　委員長:2年(1期)
日本科学技術連盟信頼性開発技術研究会　副委員長:4年(2期）