1.リソグラフィの基礎
　1.1露光
　　1.1.1コンタクト露光
　　1.1.2ステップ＆リピート露光
　　1.1.3スキャン露光
　1.2照明方法
　　1.2.1斜入射（輪帯）照明
　1.3マスク
　　1.3.1位相シフトマスク
　　1.3.2光近接効果補正（OPC）
　　1.3.3マスクエラーファクター（MEF）
　1.4レジストプロセス
　　1.4.1反射防止プロセス
　　1.4.2ハードマスクプロセス
　　1.4.3化学機械研磨（CMP）技術
 1.5ロードマップ
　　1.5.1 IRDSロードマップ
　　　1.5.1.1 リソグラフィへの要求特性
　　　1.5.1.2 レジスト、微細加工用材料への要求特性
　　1.5.2微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
　　1.5.3最先端携帯端末へのリソグラフィ技術の適用

2.レジスト材料の基礎
　2.1溶解阻害型レジスト
　　2.1.1 g線レジスト
　　2.1.2 i線レジスト
　2.2化学増幅型レジスト
　　2.2.1 KrFレジスト
　　2.2.2 ArFレジスト
　　2.2.3化学増幅型レジストの安定化技術

3.リソグラフィ、レジスト材料、微細加工用材料の最新技術
　3.1液浸リソグラフィ
 　3.1.1 液浸リソグラフィの基本と課題
　　　3.1.1.1 従来NAレンズでの液浸リソグラフィ
　　　3.1.1.2 高NAレンズでの液浸リソグラフィ
　　3.1.2 液浸リソグラフィ用トップコート
　　3.1.3 液浸リソグラフィ用レジスト
　　　3.1.3.1液浸リソグラフィ用レジストの要求特性
　　　3.1.3.2液浸リソグラフィ用レジストの設計指針
　3.2ダブル/マルチパターニング
　　3.2.1 ダブル/マルチパターニングの基本と課題
　　3.2.2 リソーエッチ（LE）プロセス
　　3.2.3 セルフアラインド（SA）プロセス
　3.3 EUVリソグラフィ
 　 3.3.1 EUVリソグラフィの基本と課題
　　3.3.2 EUVレジスト
　　　3.3.2.1 EUVレジストの要求特性
　　　3.3.2.2 EUVレジストの設計指針
　　　　3.3.2.2.1 EUVレジスト用ポリマー
　　　　3.3.2.2.2 EUVレジスト用酸発生剤
　　　3.3.2.3 EUVレジストの課題と対策
　　　　3.3.2.3.1感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
　　　　3.3.2.3.2ランダム欠陥（Stochastic Effects）
　　　3.3.2.4最新のEUVレジスト
　　　　3.3.2.4.1分子レジスト
　　　　3.3.2.4.2ネガレジスト
　　　　3.3.2.4.3ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
　　　　3.3.2.4.4フッ素含有ポリマーレジスト
　　　　3.3.2.4.5無機/メタルレジスト
　3.4.自己組織化（DSA）リソグラフィ
　　3.4.1 自己組織化リソグラフィの基本と課題
　　3.4.2 グラフォエピタキシー用材料
　　3.4.3 ケミカルエピタキシー用材料
　　3.4.4 最新の高χ（カイ）ブロックコポリマー
　　　3.4.4.1 Si含有型ブロックコポリマー
　　　3.4.4.2 有機型ブロックコポリマー
　3.5.ナノインプリントリソグラフィ
　　3.5.1 ナノインプリントリソグラフィの基本と課題
　　3.5.2 加圧方式ナノインプリントリソグラフィ用材料
　　3.5.3 光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ用材料
　　　3.5.3.1光硬化材料
　　　3.5.3.2離型剤

4.リソグラフィ、レジスト材料、微細加工用材料の今後の技術展望

5.レジスト材料の市場動向

質疑・応答

講師紹介
略歴
1983年松下電器産業株式会社入社。
以来同社半導体研究センター、パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センターにて、半導体リソグラフィ、レジスト材料、微細加工用材料の開発に従事。
2009年から大阪大学産業科学研究所にて、レジスト材料、EUVレジストの研究開発に従事。
フォトポリマーコンファレンス企画担当理事、フォトポリマー懇話会企画委員長