受講形式 WEB受講のみ ※本セミナーは、Zoomシステムを利用したオンライン配信となります。 受講対象 本テーマに興味のある企業の研究者、技術者、製造販売担当、新規事業開発担当、 企画担当、特許担当、市場アナリストの方、これらの職種を希望される学生の方 予備知識 基本から解説しますので予備知識は不要です。 習得知識 1) EUVリソグラフィの基礎知識・最新技術 2) EUVリソグラフィの課題と対策、動向 3) EUVレジストの基礎知識・最新技術 4) EUVレジストの課題と対策、動向 5) 最新のロードマップ 6) 最先端リソグラフィ・レジスト技術と今後の展望、ビジネス動向 講師の言葉 メモリー、マイクロセッサ等の半導体の高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い益々大きくなっており、2022年には3nmロジックノード（最小パターン12nm）を迎えました。 本講演では、ロードマップを示した後、3nmロジックノード以降を支えるEUVリソグラフィ・レジストの最新技術・今後の動向を、基礎技術、要求特性、課題と対策を踏まえて解説します。EUVレジストでは注目されているメタルレジストの詳細を述べます。最先端の量産工程で用いられるフォトレジスト・リソグラフィ技術を述べ、今後の展望、市場動向についてまとめます。
プログラム
1.ロードマップ 1.1IRDSロードマップ 1.1.1リソグラフィへの要求特性 1.1.2 レジスト、微細加工用材料への要求特性 1.2微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢 2.EUVリソグラフィの最新技術 2.1 EUVリソグラフィの特徴 2.2 EUVリソグラフィの基本と課題 2.1.1 露光装置 2.1.2 光源 2.1.3 マスク 2.1.4 プロセス 2.3 EUVリソグラフィのトピックスと今後の動向 3.EUVレジストの最新技術 3.1 EUVレジストの基本 3.1.1 EUVレジストの反応機構 3.1.2 EUVレジストの要求特性 3.1.3 EUVレジストの設計指針 3.1.3.1 EUVレジスト用ポリマー 3.1.3.2 EUVレジスト用酸発生剤 3.2 EUVレジストの課題と対策 3.2.1感度/解像度/ラフネスのトレードオフ 3.2.2ランダム欠陥（Stochastic Effects） 3.3 EUVレジストの動向 3.3.1分子レジスト 3.3.2ネガレジスト 3.3.3ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト 3.3.4フッ素含有ポリマーレジスト 3.4 EUVメタルレジスト 3.4.1メタルレジストの特徴 3.4.2メタルレジストの性能 3.4.3メタル増感剤 3.5 EUVレジストの今後の動向 4.フォトレジスト・リソグラフィの最先端技術 4.1ダブル/マルチパターニング 4.1.1 ダブル/マルチパターニングの基本と課題 4.1.2 リソーエッチ（LE）プロセス 4.1.3 セルフアラインド（SA）プロセス 4.2自己組織化（DSA）リソグラフィ 4.2.1 自己組織化リソグラフィの基本と課題 4.2.2 グラフォエピタキシー用材料 4.2.3 ケミカルエピタキシー用材料 4.2.4 最新の高χ（カイ）ブロックコポリマー 4.3.ナノインプリントリソグラフィ 4.3.1 ナノインプリントリソグラフィの基本と課題 4.3.2 加圧方式ナノインプリントリソグラフィ用材料 4.3.3 光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ用材料 5.リソグラフィ、レジストの今後の技術展望 6.レジストの市場動向 質疑・応答 講師紹介 略歴 1983年松下電器産業株式会社入社。以来同社半導体研究センター、 パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センターにて、 半導体リソグラフィ、レジストの開発に従事。 2009年から大阪大学産業科学研究所にて、レジスト、EUVレジストの研究開発に従事。 フォトポリマーコンファレンス企画担当理事、フォトポリマー懇話会企画委員長
