研究・開発に役立てるための
レジストリソグラフィ微細加工用材料の基礎要求特性課題と対策
~最新技術・今後の展望・市場動向を含めて~
【WEB受講(Zoomセミナー)

セミナー
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リソグラフィの基礎知識・最新技術,レジスト材料・微細加工用材料の基礎,
微細加工用材料の特性,レジスト材料・微細加工用材料の課題・対策,
レジスト材料の最新技術・ビジネス動向まで,具体的に分かりやすく解説する
特別セミナー!!
講師
大阪大学 産業科学研究所 招聘教授 工学博士 遠藤 政孝 先生
元 パナソニック(株)プロセス開発センターにて,半導体リソグラフィプロセス,レジスト,微細加工用材料の開発に従事
日時
2021/2/16(火)10:00〜16:00
会場

*本セミナーはWEB受講のみとなります

会場案内
受講料 (消費税等込み)1名:49,500円 同一セミナー同一企業同時複数人数申込みの場合 1名:44,000円
講師
大阪大学 産業科学研究所 招聘教授 工学博士 遠藤 政孝 先生
元 パナソニック(株)プロセス開発センターにて,半導体リソグラフィプロセス,レジスト,微細加工用材料の開発に従事
日時
2021/2/16(火)10:00〜16:00
会場

*本セミナーはWEB受講のみとなります

会場案内
受講料 (消費税等込み)1名:49,500円 同一セミナー同一企業同時複数人数申込みの場合 1名:44,000円
受講形式
 WEB受講のみ
  *こちらのセミナーはZoomシステムを使用したオンラインセミナーとなります。

受講対象
 本テーマに興味のある企業の研究者、技術者、製造販売担当、新規事業開発担当、企画担当、
 特許担当、市場アナリストの方、これらの職種を希望される学生の方

予備知識
 基本から解説しますので予備知識は不要です。

習得知識
 1)リソグラフィの基礎知識・最新技術
 2)レジスト材料・微細加工用材料の基礎知識
 3)レジスト材料・微細加工用材料の特性
 4)レジスト材料・微細加工用材料の課題と対策
 5)レジスト材料の最新技術・ビジネス動向 など

講師の言葉
 メモリー、マイクロセッサ等の半導体の高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の
高性能化に伴い益々大きくなっており、今年は5nmロジックノードとなっています。
 本講演では、半導体の微細化を支えるレジスト、リソグラフィ、微細加工用材料の基礎と、
要求特性、課題と対策、最新技術・動向を解説し、今後の展望、市場動向についてまとめます。

プログラム

1.リソグラフィの基礎
 1.1露光
  1.1.1コンタクト露光
  1.1.2ステップ&リピート露光
  1.1.3スキャン露光
 1.2照明方法
  1.2.1斜入射(輪帯)照明
 1.3マスク
  1.3.1位相シフトマスク
  1.3.2光近接効果補正(OPC)
  1.3.3マスクエラーファクター(MEF)
 1.4レジストプロセス
  1.4.1反射防止プロセス
  1.4.2ハードマスクプロセス
  1.4.3化学機械研磨(CMP)技術
 1.5ロードマップ
  1.5.1 IRDSロードマップ
   1.5.1.1 リソグラフィへの要求特性
   1.5.1.2 レジスト、微細加工用材料への要求特性
  1.5.2微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢

2.レジスト材料の基礎
 2.1溶解阻害型レジスト
  2.1.1 g線レジスト
  2.1.2 i線レジスト
 2.2化学増幅型レジスト
  2.2.1 KrFレジスト
  2.2.2 ArFレジスト
  2.2.3化学増幅型レジストの安定化技術

3.リソグラフィ、レジスト材料、微細加工用材料の最新技術
 3.1液浸リソグラフィ
  3.1.1 液浸リソグラフィの基本と課題
   3.1.1.1 従来NAレンズでの液浸リソグラフィ
   3.1.1.2 高NAレンズでの液浸リソグラフィ
  3.1.2 液浸リソグラフィ用トップコート
  3.1.3 液浸リソグラフィ用レジスト
   3.1.3.1液浸リソグラフィ用レジストの要求特性
   3.1.3.2液浸リソグラフィ用レジストの設計指針
 3.2ダブル/マルチパターニング
  3.2.1 ダブル/マルチパターニングの基本と課題
  3.2.2 リソーエッチ(LE)プロセス
  3.2.3 セルフアラインド(SA)プロセス
 3.3 EUVリソグラフィ
   3.3.1 EUVリソグラフィの基本と課題
  3.3.2 EUVレジスト
   3.3.2.1 EUVレジストの要求特性
   3.3.2.2 EUVレジストの設計指針
    3.3.2.2.1 EUVレジスト用ポリマー
    3.3.2.2.2 EUVレジスト用酸発生剤
   3.3.2.3 EUVレジストの課題と対策
    3.3.2.3.1感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
    3.3.2.3.2ランダム欠陥(Stochastic Effects)
   3.3.2.4最新のEUVレジスト
    3.3.2.4.1分子レジスト
    3.3.2.4.2ネガレジスト
    3.3.2.4.3ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
    3.3.2.4.4無機/メタルレジスト
 3.4.自己組織化(DSA)リソグラフィ
  3.4.1 自己組織化リソグラフィの基本と課題
  3.4.2 グラフォエピタキシー用材料
  3.4.3 ケミカルエピタキシー用材料
  3.4.4 最新の高χ(カイ)ブロックコポリマー
   3.4.4.1 Si含有型ブロックコポリマー
   3.4.4.2 有機型ブロックコポリマー
 3.5.ナノインプリントリソグラフィ
  3.5.1 ナノインプリントリソグラフィの基本と課題
  3.5.2 加圧方式ナノインプリントリソグラフィ用材料
  3.5.3 光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ用材料
   3.5.3.1光硬化材料
   3.5.3.2離型剤

4.リソグラフィ、レジスト材料、微細加工用材料の今後の技術展望


5.レジスト材料の市場動向



講師紹介
1983年松下電器産業株式会社入社。以来同社半導体研究センター、
パナソニック株式会社 プロセス開発センターにて、半導体リソグラフィプロセス、
レジスト、微細加工用材料の開発に従事。
2009年から大阪大学産業科学研究所にて、レジスト材料、EUVレジストの研究開発に従事。