パワーデバイス開発に役立てるための
SiCパワーデバイスの基礎から最新技術および今後の動向
パワーデバイスの基礎からSi-IGBTそしてSiCデバイスの構造設計やプロセス技術の最新状況，
SiCパワーデバイスの課題や今後の動向について解説する特別セミナー！！
- 講師
筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 岩室 憲幸 先生
電気学会 シリコンならびに新材料パワーデバイス・パワーIC技術調査専門委員会 委員長
富士電機(株)にてSi-IGBT，SiCデバイス研究開発に従事，(独)産業技術総合研究所にて
SiC-MOSFET，SBDの量産技術開発に従事，2013年より現職
- 日時
- 会場
- 受講料
- 1名：48,600円 同時複数人数申込みの場合 1名：43,200円
- テキスト
受講概要
予備知識
丁寧にわかりやすく解説します。特に必要ありません
習得知識
１．SiCパワーデバイスの特徴と欠点
２．主要メーカーのSiCパワーデバイス開発状況
３．過去20年のパワーデバイス開発の歴史
４．SiCパワーデバイスの今後の展望
講師の言葉
シリコン（Si)IGBTは1985年に初めて製品化されて以来、その技術革新には目覚ましいものがあり、現在では ハイブリッドカーなどを中心にその適用範囲をますます広げ、パワーエレクトロニクス機器のキーデバイスとして 中心的な役割をしている。 そのSi-IGBTも、シリコンの物性値で決まる特性限界が近づきつつあると言われており、 市場の関心はSiデバイスからシリコンカーバイド（SiC）デバイスに、いつ本格的に移行するかというところにある。 2014年5月、トヨタ自動車がハイブリッドカーにSiCデバイスを搭載し2020年に実車化を狙う発表し、いよいよ SiCパワーデバイスの本格普及に関心がもたれてきている。 しかしながら、SiC搭載したパワーエレクトロニクス機器が最近ようやく適用・販売され始めているものの、 本格的に普及され始めたという話は残念ながら聞かれていない。 SiCパワーデバイスの開発はいったいどこまで進んでいるのか、本格的な普及を妨げているのは何なのか。 パワーデバイスの基礎からSi-IGBT、そしてSiCデバイスの構造設計やプロセス技術の最新状況を詳細に解説し、 SiCパワーデバイスの課題や今後の動向について説明する。
プログラム
１．パワーデバイスの現状 1-1 パワーデバイスとIC・LSIの違いは何？ 1-2 どんな用途に何が使われているのか？ 1-3 素子耐圧とそのアプリケーション 1-4 Si-MOSFETならびにSi-IGBTの伸長 1-5 パワーデバイスに要求される特性は何なのか 1-6 次世代パワーデバイス開発の位置付け ２．最新シリコンIGBTの進展と課題 2-1 なぜIGBTがパワーデバイスの主役になったのか 2-2 MOSFETとIGBTの構想上の違いは何？ 2-3 最新IGBTの現状 2-4 IGBT特性改善を支える技術 2-5 どうやって最新IGBTを作るのか（作成プロセス紹介） 2-6 薄ウェハ化の限界 2-7 新構造IGBTのキーワードはIGBTとダイオードの'Integration' 2-8 新型IGBT（RB-IGBT、RC-IGBT）って何？ ３．SiCパワーデバイスの現状と課題 3-1 そもそもなぜSiCなのか 3-2 耐圧クラスから見たSiデバイスとSiCデバイスの比較 3-3 何がSiCとGaN適用領域の違いを決めるのか 3-4 SiC-MOSFETがいいのかSiC-IGBTがいいのか 3-5 高温動作ができると何が良いのか 3-6 SiCウェハができるまで 3-7 ステップ制御エピタキシとは 3-8 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ 3-9 SiCデバイス適用製品発表例：鉄道、産業 3-10 最近のSiCトピックスから見えること 3-11 SiC-MOSFETの課題 3-12 SiC-MOSFETとSi-IGBTの高温特性比較 3-13 SiC-MOSFET作成プロセスの特徴 3-14 SiCデバイスのイオン注入工程 3-15 インプラ・アニール工程での問題点 3-16 ゲート酸化膜の形成方法 3-17 界面準位のMOSFET特性への影響 3-18 チャネル移動度の報告例 3-19 ゲート電圧印加後のしきい値変動 3-20 ボディーダイオードの劣化について 3-21 SiCデバイス信頼性のポイント 3-22 更なる特性改善を目指して：SiCトレンチMOSFETの開発 3-23 更なる特性改善を目指して：SiC 超接合MOSFETの挑戦 3-24 超高耐圧領域への挑戦：16000V SiC-IGBTの開発 3-25 16000V SiC-IGBT作成プロセスのポイント 3-26 高温対応実装技術について ４．まとめ
講師紹介
略歴 ・東京都板橋区生まれ ・1984年早稲田大学理工学部電気工学科卒業、富士電機株式会社入社 ・1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、Si-IGBT・DiodeならびにSiCデバイス研究・製品化開発に従事 ・1992-1993年 米国North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gatethyristorの研究に従事 ・1998年 博士（工学）（早稲田大学） ・2009-2013年 (独)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センターに出向、SiC-MOSFET,SBDの量産技術開発に従事 ・2013年 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 著作 ・世界を動かすパワー半導体―IGBTがなければ電車も自動車も動かない (編集委員)（出版：電気学会） ・SiCパワーデバイスの開発と最新動向（監修）（S&T出版） 所属学会 ・IEEE Senior Member ・電気学会上級会員 ・応用物理学会会員 ・電気学会 シリコンならびに新材料パワーデバイス・パワーIC技術調査専門委員会 委員長 ・パワー半導体国際シンポジウム (ISPSD) Technical Program Committee Member, 2010 Vice Program Chair