ハイブリッド車、電気自動車用のＩＧＢＴの最新技術とＳｉＣ，ＧａＮの技術動向

予備知識

　パワーデバイスを使用した機器の研究・開発・設計に従事する方なら特になし

習得知識

　１）パワーデバイスの構造・原理
　２）ＩＧＢＴの最新技術
　３）ＳｉＣパワーデバイスの開発と応用
　４）ＧａＮパワーデバイスの開発と応用

講師の言葉

　最近特に注目を集めているパワーデバイスについて、その構造や原理などを、開発の歴史とともに説明する。
　特にパワーデバイスの中でもＩＧＢＴはその特性の良さから多くの電力変換装置で用いられているが、その
使い方、設計手法などについて説明する。ＩＧＢＴは何故オン電圧が低いのか？　ＩＧＢＴは何故スイッチング損失が
少ないのか？そしてＩＧＢＴは何故、壊れにくいのか？などその優れた特性について、キャリアの動き、構造、など
根本から説明する。
　またＩＧＢＴがこれまでたどった開発の歴史について、どのような問題が発生し、どのように解決してきたのかなど
開発のエピソードなども紹介しながら今日の特性に至った経緯を説明する。パワーデバイスとしてのＩＧＢＴの
静特性、動特性などの解説、また安全動作領域の考え方などの考え方についても説明する。
　現在パワーデバイスは大きな転機にさしかかっている。ＩＧＢＴが誕生して四半世紀が過ぎ、そろそろ特性限界が
見え始めているという声も聞かれる。その中で次世代のパワーデバイスが何か？という議論が盛んである。
シリコンを用いてＩＧＢＴよりも特性の優れたデバイスの提案か、シリコンでなく、パワーデバイスにとってもっと
優れた半導体材料のＳｉＣやＧａＮなどを用いた提案か、興味ある議論がなされている。
　今回は実際のデータを示してそれらの最新状況を解説する。