パワーデバイスの最新技術と今後の開発動向

予備知識

　パワーデバイス関連業務に携っている方なら特になし

習得知識

　１）ＩＧＢＴの使い方，設計手法
　２）ＩＧＢＴの静特性・動特性，安全動作領域
　３）パワーデバイスの最新技術と応用
　４）新材料によるパワーデバイスの開発

講師の言葉

　最近特に注目を集めているパワーデバイスについて、その構造や原理などを、開発の歴史とともに説明する。
　特にパワーデバイスの中でもＩＧＢＴはその特性の良さから多くの電力変換装置で用いられているが、その使い方、
設計手法などについて説明する。ＩＧＢＴは何故オン電圧が低いのか？　ＩＧＢＴは何故スイッチング損失が少ない
のか？そしてＩＧＢＴは何故、壊れにくいのか？などその優れた特性について、キャリアの動き、構造、など根本から
説明する。　またＩＧＢＴがこれまでたどった開発の歴史について、どのような問題が発生し、どのように解決してきた
のかなど、開発のエピソードなども紹介しながら今日の特性に至った経緯を説明する。　パワーデバイスとしての
ＩＧＢＴの静特性、動特性などの解説、また安全動作領域の考え方などの考え方についても説明する。
　現在パワーデバイスは大きな転機にさしかかっている。ＩＧＢＴが誕生して四半世紀が過ぎ、そろそろ特性限界が
見え始めているという声も聞かれる。　その中で次世代のパワーデバイスが何か？という議論が盛んである。
　シリコンを用いてＩＧＢＴよりも特性の優れたデバイスの提案か、シリコンでなく、パワーデバイスにとってもっと優れた
半導体材料のＳｉＣやＧａＮなどを用いた提案か、興味ある議論がなされている。今回は実際のデータを示して
それらの最新状況を解説する。