
研究・開発・設計の実務で活用するための
パワーデバイスの最新技術と今後の開発動向
IGBTの使い方,設計手法,特性,安全動作領域および
SiCやGaNパワーデバイスの最新状況についてデータを示して解説する特別セミナー!!
- 講師
(独)産業技術総合研究所 エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ
プロジェクトマネージャー 工学博士 岩室 憲幸先生
- 日時
- 会場
- 受講料
- 1名:47,250円 同時複数人数申込みの場合 1名:42,000円
- テキスト
受講概要
予備知識
パワーデバイス関連業務に携っている方なら特になし
習得知識
1)IGBTの使い方,設計手法 2)IGBTの静特性・動特性,安全動作領域 3)パワーデバイスの最新技術と応用 4)新材料によるパワーデバイスの開発
講師の言葉
最近特に注目を集めているパワーデバイスについて、その構造や原理などを、開発の歴史とともに説明する。 特にパワーデバイスの中でもIGBTはその特性の良さから多くの電力変換装置で用いられているが、その使い方、 設計手法などについて説明する。IGBTは何故オン電圧が低いのか? IGBTは何故スイッチング損失が少ない のか?そしてIGBTは何故、壊れにくいのか?などその優れた特性について、キャリアの動き、構造、など根本から 説明する。 またIGBTがこれまでたどった開発の歴史について、どのような問題が発生し、どのように解決してきた のかなど、開発のエピソードなども紹介しながら今日の特性に至った経緯を説明する。 パワーデバイスとしての IGBTの静特性、動特性などの解説、また安全動作領域の考え方などの考え方についても説明する。 現在パワーデバイスは大きな転機にさしかかっている。IGBTが誕生して四半世紀が過ぎ、そろそろ特性限界が 見え始めているという声も聞かれる。 その中で次世代のパワーデバイスが何か?という議論が盛んである。 シリコンを用いてIGBTよりも特性の優れたデバイスの提案か、シリコンでなく、パワーデバイスにとってもっと優れた 半導体材料のSiCやGaNなどを用いた提案か、興味ある議論がなされている。今回は実際のデータを示して それらの最新状況を解説する。
プログラム
Ⅰ. パワーデバイスの現状
1.パワーデバイスの市場動向 2.パワーデバイスへの市場要求
II..パワーデバイス開発の歴史
1.BJTからパワーMOSFETへ、そしてIGBTへ 2.IGBT開発の歴史 3.パワーMOSFET開発の歴史
III. IGBT、ダイオードの動作
1.IGBTの動作物理 2.ダイオードの動作原理
IV.パワーデバイスの最新技術とその応用および今後の動向
1.最新IGBTの紹介 2.スーパージャンクションMOSFET 3.Siパワーデバイス最新技術とその応用
V.新材料によるパワーデバイスの開発
1.SiCパワーデバイスの開発とその応用 2.GaNパワーデバイスの開発とその応用 3.今後の動向
講師紹介
1984年3月 早稲田大学理工学部電気工学科卒 1998年3月 工学博士(早稲田大学) 1984年4月 富士電機株式会社入社 1988年4月 パワーデバイスシミュレータならびにIGBTの開発に従事 1992年-1993年 アメリカ ノースカロライナ州立大学 Power Semiconductor Research Center(PSRC)客員研究員 1999年 第5世代IGBT開発に従事 2009年5月 産業技術総合研究所に出向 現在に至る