めっき品質向上のための
電解・無電解めっきの基礎及び銅めっき膜・配線の品質向上
電解・無電解めっきの基礎および添加剤などによるめっき品質向上について解説する特別セミナー！！
- 講師
関西大学システム理工学部 機械工学科 教授 理学博士 新宮原 正三先生
- 日時
- 会場
- 受講料
- 1名：47,250円 同時複数人数お申込みの場合1名：42,000円
- テキスト
受講概要
受講後の修得知識
１）めっき技術に関しての基礎知識 ２）めっき膜質評価と添加剤の効果に関しての実践的知識
講師の言葉
銅めっき技術は実装基板やＬＳＩの配線に広く用いられている。一般に電解銅めっきは厚膜形成やプリント 基板のスルーホール埋め込みに用いられており、無電解銅めっきはガラスエポキシ樹脂などの絶縁体上への 導電性皮膜形成や、電解めっきの下地シード層形成に用いられている。 １９９８年にＬＳＩ技術に導入されたスーパー埋め込み電解銅めっき技術は、複数の添加剤の複合効果によって、 微細ホールの底部から銅をボトムアップ堆積可能とするものである。また無電解めっきによるスーパー埋め込みは 我々が２００３年に見出したが、メカニズム的には添加剤の働きは電解めっきとはまったく異なっている。 本講演では、電解・無電解銅めっきについて、添加剤の堆積形状や膜質への影響に関して、双方を対比 しながら解説を行う。
プログラム
１．電解銅めっきの基礎：
１）標準酸化還元電位 ２）過電位と電流の関係（Tafelの関係式）、主な添加剤とその働き
２．無電解銅めっきの基礎：
１）主な還元剤 ２）錯化剤 ３）ホルムアルデヒド還元銅めっき ４）主な添加剤とその働き
３．電解めっきスーパー埋め込みにおける添加剤の効果：
１）レベラーの役割と効果 ２）電解めっきスーパー埋め込みの機構 ３）サイクリックボルタンメトリ ４）パルスめっき
４．電解銅めっき膜における室温結晶粒成長現象：
１）めっき膜の電気抵抗と結晶粒径の相関 ２）室温結晶粒成長現象 ３）添加剤と結晶成長現象
５．無電解めっきスーパー埋め込み技術：
１）抑止剤とその拡散 ２）無電解スーパー埋め込みの機構
６．添加剤の銅膜中取り込みと電気抵抗率との相関：
１）抑止剤の膜中取り込みの評価 ２）低温残留抵抗と膜中不純物
講師紹介
所属学会
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 多層配線システム研究委員会委員長 アドメタ２００７委員長