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製造サイクルの短期化、コストの制約の中で高信頼性が求められている

半導体デバイスの加速寿命試験

半導体デバイスの故障メカニズムおよび合理的・効率的な加速寿命試験について解説する特別セミナー!!

講師

(株)ルネサステクノロジ 品質保証統括部 品質推進部
品質システムグループ 主任技師 工学博士   三橋 順一先生

日時
会場

連合会館 (東京・お茶の水)

会場案内

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受講料
1名:47,250円 同時複数人数お申込みの場合1名:42,000円
テキスト

受講概要

必要な予備知識

特にはないですが、強いて言えば、MOSトランジスタ動作の基本

受講後の修得知識

効率的な加速寿命試験の考え方とその手法

講師の言葉

   半導体デバイスはあらゆる分野でシステムに組み込まれており、高い信頼性が求められる。
一方、半導体製品はその製品サイクルが短くなってきている上に、コストとのトレードオフがあり、「適性品質」
が求められている。システムの信頼度を高めるには、半導体のユーザとメーカの連携が重要となってきている。
  そこで、本講座では加速試験の考え方、スクリーニングの効果および主な故障現象を、バスタブカーブを
基に説明することから始め「抜き取りによる寿命試験」と「数による故障率検証試験」を分離して実施することの
重要性を示す。その上で、合理的かつ効率的な加速寿命試験の実施方法について、JEITAの「半導体デバイスの
加速寿命試験運用ガイドライン」(07年改訂版)を参考にしつつ具体的に述べる。

プログラム

Ⅰ 故障率の推移と加速寿命試験
     1. 信頼性の作り込み
     2. 故障率の推移とスクリーニング
     3. 信頼性加速試験の考え方
     4. メモリにみる故障現象の推移
Ⅱ 半導体デバイスにおける主な故障メカニズム
     1. ホットキャリア注入現象(HCI)
     2. NBTI現象
     3. TDDB現象
      4. エレクトロマイグレーション(EM)
     5. その他
Ⅲ 加速寿命試験の基本と実際
     1. バスタブカーブと故障メカニズム
     2. 故障メカニズムと活性化エネルギ
     3. JEITA規格準拠の加速寿命試験
     4. テストチップ(TEG)による寿命試験
      (TDDB、HCI、EM)
     5. ワイブル解析とその事例
     6. 基板実装の加速寿命試験
Ⅳ 合理的・効率的な加速寿命試験
     1. JEITA加速寿命試験運用ガイドライン
       EDR-4704「ED-4701運用ガイドライン」07年改訂
     2. ワイブル分布に基づいた加速寿命試験
     3. 故障モード(初期と摩耗)毎の加速寿命試験
     4. 故障メカニズムに対応した加速試験条件
     5. Application Specific Qualification
       (JEDEC JESD-94、日本信頼性学会シンポジウム)
     6. 使用条件を考慮したデバイスの寿命予測(例)

講師紹介

(略歴)
  1975年 大阪大学大学院工学研究科精密工学専攻修了
   同年 三菱電機株式会社入社
            LSI研究所、北伊丹製作所にてLSIの信頼性評価、故障解析に従事
  2003年 ㈱ルネサステクノロジに転籍
      同社品質推進部品質システムグループ 現在に至る

■所属学会・協会および役職・活動状況:
   日本信頼性学会
   日本信頼性学会 「信頼性試験研究会」委員
   電子情報技術産業協会(JEITA)半導体信頼性サブコミティ 副主査