静電気障害を解決するための
電子デバイス製造と電子機器組立のための静電気対策
電子デバイスにおける静電気の発生メカニズム，測定法，障害対策方法を解説する特別セミナー！！
- 講師
職業能力開発総合大学校 電気システム工学科 教授 工学博士 岡野 一雄先生
- 日時
- 会場
- 受講料
- 1名：47,250円 同時複数人数お申込みの場合1名：42,000円
- テキスト
受講概要
必要な予備知識
物理の基礎、電子デバイスの基礎
受講後の修得知識
１）電子デバイスの製造工程における静電気障害のトラブルシューティングに必要な知識を習得する。 ２）除電器としてのイオナイザの最適使用方法を理解すると共に、除電システムの設計法を理解する。
講師の言葉
電子デバイスの微細化が進み、ナノデバイス時代を迎えている。このようなデバイスの製造工程、組み立て工程、 実装工程において、デバイスの静電気障害は、製造歩留まりの低下に大きな影響を及ぼしている。 そこで、このような静電気障害の原因について、できるだけ平穏に解説を行う。その後、これらの障害を回避 するための静電気対策の手法について解説する。特に静電気対策の項目では、デバイスの各製造プロセスに おける静電気障害とその対策法をまとめて解説する。 さらに、各製造プロセスの静電気対策を最適化するための除電システムの設計法についても解説する。 内容は、静電気に関する基礎理論、静電気の発生のメカニズム、静電気測定法、静電気障害、対策方法、 今後の展望等である。
プログラム
1.静電気の本質
1)静電気の本質 2)帯電と除電
2.静電気の基礎論理
1)電荷、電界、電位 2)静電容量 3)静電気と動電気
3.静電気の発生
1)摩擦帯電 2)剥離帯電
4.静電気の測定
1)静電気の測定原理 2)静電気の測定方法
5.静電気障害
1)ESAに基づく静電気障害 2)ESDに基づく静電気障害 3)EMIに基づく静電気障害
6.静電気の除電
1)接地 2)イオナイザ
7.イオナイザの作用と副作用
1)除電電流 2)発塵 3)最終到達電位 4)ゆらぎ電位
8.各プロセスにおける除電法
1)前処理工程での対策 2)後処理工程での対策 3)実装工程での対策
9.除電システム
1)設計仕様 2)除電システムの設計
10.トータル除電
1)トータル除電
11.ナノデバイス時代への展望
1)ナノデバイスのための静電気対策
講師紹介
1977年東工大大学院（物理系）修士終了。 日本電気（株）LSI事業部にて高速LSIの開発に従事。 職業能力開発総合大学校電気工学科助教授を経て、現在、電気システム工学科教授。 専門はセンサ工学、電子デバイスの静電気対策。 所属学会・協会での役職：IEEE、応用物理学会、電子情報通信学会、静電気学会会員。 静電気学会運営理事、静電気学会放電基礎研究会委員長。