損失低減，電流密度の増加，動作温度の上昇に対応するための
高信頼性に向けたIGBTモジュールのアセンブリー及びチップ技術の最新動向
パワーデバイス特にパワーモジュールを中心に応用分野，要求事項，現行モジュールの信頼性劣化要因，
アセンブリ技術を含む信頼性向上の最新動向，新しいチップ技術について解説する特別セミナー！！
- 講師
インフィニオンテクノロジーズジャパン（株） インダストリアルパワーコントロール事業部 二本木 直稔 先生
- 日時
- 会場
- 受講料
- 1名：43,200円 同時複数人数申込みの場合 1名：37,800円
- テキスト
受講概要
予備知識
パワーエレクトロニクスの基礎
習得知識
IGBTモジュールの信頼性、最新チップテクノロジー、SiC実用化への課題
1)パワーモジュールの応用事例と要求事項
2)現行パワーモジュールの信頼性劣化要因
3)パワーデバイスの信頼性改善の最新動向
4)新しいチップ技術
講師の言葉
近年、パワーエレクトロニクス技術は発電、送配電に代表される大電力の分野から、家電に代表される民生機器、 太陽光、風力発電などの系統連系機器、ハイブリッド/電気自動車、電車などの移動体へと幅広い分野で応用されている。 そのような状況の中、パワーデバイスは各アプリケーションでの品質、長期信頼性に大きく影響する部分であり、 損失低減、電流密度の増加、動作温度の上昇の3つのキーへの要求は非常に高い。また近年、自動車や公共移動体など 過酷な環境で使用されるアプリケーションの面からも高い動作温度と同様またはそれ以上の信頼性が要求されている。 特に動作温度に着目するとパワーサイクルやサーマルサイクルが長期信頼性の重要なポイントであり、このパワーサイクル、 サーマルサイクル向上のため各メーカーでアセンブリ、耐熱材料、放熱技術などの改良が行われている。 また、この数年、ワイドバンドギャップデバイスで総称されるSiCやGaNのスイッチングデバイスが実用化され始めている。 これらのアプリケーションでは、そのデバイス特性から高温環境下での使用が期待され、上述したように材料を含めた アセンブリ技術及び耐熱材料が重要なキーになる。 本セミナーでは、最初にパワーデバイス特にパワーモジュールを中心に、その応用分野及び要求事項を説明し、 次に現行モジュールの信頼性劣化の要因をいくつかのアプリケーションを事例に詳細に説明する。3つ目にアセンブリ技術を 含む信頼性向上の最新動向、最後に新しいチップ技術について紹介する。
プログラム
1. パワーデバイスの応用 -1.パワーデバイスの機能 -1.具体的なアプリケーション（概要） -2.基本的な回路構成 -3.パワーデバイスのトポロジー -2.アプリケーションの応用事例 -1.Wind Power -2.CAV(Construction/commercial agricultural Vehicle) -3.Consumer -3.要求事項 -1.Power Cycle -2.Thermal Cycle
2. 現状のパワーデバイスの信頼性とアプリケーションへの影響 -1.ワイヤーボンディング、はんだに見られる劣化 -1.ワイヤーボンディング -2.Chip-DCB間 -3.DCB-ベースプレート -2.TIM（ベースプレート-ヒートシンク間放熱グリスに見られる劣化） -1.サーマルモデル -2.劣化事例 -3.寄生インダクタンス、容量によるスイッチング波形の振動 -1.モジュール等価回路 -2.振動事例 3. パワーデバイス信頼性改善の最新動向 -1.新しいアセンブリーテクノロジー.XT -1.ワイヤーボンディング材料 -2.接合方法 -3.ベースプレートレスモジュール -2.TIM塗布モジュール -1.信頼性評価方法 -2.TIMの等価回路と改善 -3.SiCハイブリッドモジュール -4.新しいパッケージコンセプトXHP -1.Strip Line Concept -2.電流密度の改善 -3.外部ストレイインダクタンスの改善 -4.並列接続 4. 新しいチップ技術 -1.IGBT5 -1.構造特徴 -2.スイッチング波形 -3.IGBT4との損失比較 -2.RCDC（Reverse Conducting IGBT with Diode Control -1.構造と特徴 -2.スイッチング波形 -3.Diode Controlの必要性
5. まとめ
講師紹介
2008年よりインフィニオンテクノロジーズジャパンにてハイパワーIGBTモジュール、バイポーラデバイスの アプリケーションエンジニアとして従事。電気学会正員