1. パワーエレクトロニクス
1.1 スイッチングによる電力変換
1.2 パワーエレクトロニクス回路
1.3 理想スイッチと
1.4 パワーデバイスのスイッチング特性
2. パワーデバイスとは
2.1 導体の電気伝導
2.2 半導体とは
2.3 デバイスの高耐圧化
2.4 パワーデバイスの種類
3. 各種のパワーデバイス
3.1 ダイオード
3.2 サイリスタ,GTOサイリスタ
3.3 バイポーラトランジスタ
3.4 パワーMOSFET
3.5 IGBT
4. パワーデバイスの駆動回路
4.1 バイポーラトランジスタの駆動回路
4.2 IGBTのゲート駆動回路
4.3 デッドタイム
5. パワーデバイスの保護回路
5.1 短絡保護
5.2 過電流保護
5.3 スナバ
5.4 並列接続
6. パワーデバイスの構造
6.1 ディスクリート構造
6.2 パワーモジュール
6.3 IPM
7. パワーデバイスの冷却
7.1 パワーデバイスの損失
7.2 冷却設計
7.3 過渡熱抵抗
7.4 冷却の実例
8. パワーデバイスの使い分け
8.1 パワーデバイスの選定
8.2 容量による使い分け
8.3 スイッチング周波数による使い分け
9. トラブル対策
9.1 パワーエレクトロニクスのトラブルとは
9.2 ノイズとEMC
9.3 パワーデバイスのトラブル
10. ワイドバンドギャップ半導体
10.1 ワイドギャップ半導体とは
10.2 SiCの概要
10.3 GaN の概要
講師紹介
28年間三菱重工業にて産業機械、エアコン、電動車両、分散型発電などのパワーエレクトロニクス、
モータの研究開発を行う。
2018年までの13年間は東海大学教授として 研究及び教育を行う。
自動車用パワーエレクトロニクス、誘導モータ、リラクタンストルク応用モータなどの各種モータの設計、
制御、及びパワーエレクトロニクスの産業応用に取り組んできた。
電気学会フェロー、IEEE会員。
電気学会論文誌編修長、技術士試験委員、電気主任技術者試験委員などを歴任。
著書は「入門インバータ工学」(森北出版)、「電気自動車」(森北出版)、「交流のしくみ」
(講談社ブルーバックス)など多数あり。
2019年現在 東海大学非常勤講師、首都大学東京非常勤講師